我国首个自主研发5G微基站射频芯片流片成功


发布时间:2020-03-05 点击:557

     3月4日消息,随着5G通信的逐步推进,较高的频率引发的技术新热点也引起关注,商用楼宇和家庭室内的信号补盲问题就是其中之一。近日,我国首个5G微基站射频芯片YD9601,在南京宇都通讯科技有限公司经过自主研发流片成功,目前正在进行封装测试。

     据了解,5G基站分为宏基站和微基站两种。宏基站主要用于室外覆盖,5G微基站主要用于室内,发射功率较小(一般200毫瓦以内),广泛用于机场高铁等候区域、商业场所、商业楼宇、学校医院、园区工厂和社区家庭等场景。5G微基站可以以较低成本有效解决室内覆盖区域的容量(如机场、高铁和商业场等热点区域)和覆盖问题(如商业楼宇和家庭)。

     据报道,国家特聘专家、美国麻省理工学院博士王俊峰表示,5G微基站射频芯片项目是我们自主研发的有线射频宽带芯片组的拓展。此前在推出5G微基站射频芯片之前,宇都通讯通过研发有线射频宽带HiNOC2.0芯片,拥有了长期的射频芯片技术积累。

     据悉,HiNOC2.0是我国下一代有线射频宽带广电接入标准,南京宇都HiNOC2.0射频/基带芯片组可实现600兆每秒的下行速率,完全可与国际巨头的同类产品对标。在中国广播科学研究院进行的标准测试中,搭载这组芯片的设备在85dB的线路衰耗下仍可接入,相比对标的国际巨头同类产品,抗衰减能力提升了10dB左右,这使其更能适应国内复杂、恶劣的网络环境。(来源:中国产业信息网)

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